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电子电路大全(PDF格式)-第191章

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    RD0300 模块内部电路如图3。11。3 所示,印制板图如图3。11。4 所示。  



  


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第3 章    射频收发器芯片原理与应用电路设计                                                                                                    ·263 · 



                                                                                                                                      



                                            



  


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·264 ·                                                  射频集成电路芯片原理与应用电路设计  



                                                                                                                                    

                                                                    (a )元器件布局图  



                                                                                                                                   

                                                                   (b )印制板元器件面  



                                                      图3。11。4    DR0300 模块印制板图  



         



  


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     第4 章    无线通信射频前端芯片的原理      

                           与应用电路设计  



4。1    蓝牙无线收发器芯片SiW1701 的原理与应用电路设计  



    4。1。1    概述  



    SiW1701  无线电调制解调器是 Silicon  Wave's  OdysseyTM 公司推出的用来解决蓝牙 

BluetoothTM无线通信的专用IC 。SiW1701 IC 包含有一个符合蓝牙规格的2。4GHz 无线电收发 

器、GFSK 调制解调器和数字控制功能电路。SiW1701 可用来与SiliconWave's OdysseyTM公司 

SiW1750/1760 Link Controller (链接控制器)IC 或者其他兼容的IC 组合构成蓝牙无线通信产 

品。SiW1701 完全符合蓝牙 1。1 规格,适合2 级或3 级发射功率分类,或者有外部电路的一 

级功率分类。直接转换的无线电结构与集成的 VCO  和频率合成器只需要很少的外部组件。 

频率范围为2  400MHz~2  800MHz,接收机灵敏度为…80dBm~…85  dBm,射频输出发射功 

率为…4~+4dBm 。集成的模拟/数字转换电路转换在无线电和GFSK 调制解调器之间的I/O 信 

号。GFSK 调制解调器包含有数字调制器、信道滤波器、AFC                           (自动频率控制)、码元时限校 

正和比特限制器。集成的0dBm 发射激励器(末级前置放大器),有8 个输出功率等级控制。 

通过数字接口可与蓝牙控制器 IC                直接接口。对功耗进行了优化设计,睡眠模式电流消耗为 

7uA~90uA 。工作温度为…40°C~+85°C 。  

    SiW1701 无线电解调器适合所有需要一个无线电连接的应用,它是应用于蓝牙无线技术、 

低功率和高性价比的方案。可应用于手持移动电话、办公电脑、笔记本电脑和打印机,PDA 

 (个人数字助理)、个人备忘记事本和多媒体设备,数字相机和游戏手柄,遥控车锁等系统中。  



    4。1。2    主要技术指标  



    SiW1701 的主要技术指标如表4。1。1~表4。1。8 所示。  



                             表4。1。1    SiW1701 芯片使用极值  



               参        数      说         明      最    小   最    大   单    位  



                         电源电压  

              VCC;VDD                            …0。5     3。6      V  

                        注释:除VCC_BATT 外  



                ESD     ESD 保护…模拟/射频引脚           500               V  



                        ESD 保护…数字引脚                      2 000     V  



                TST     存储温度                     …55      +125     ℃  



                 Tj     焊接温度                              125      ℃  



                                            


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·266 ·                                   射频集成电路芯片原理与应用电路设计  



                                            表4。1。2    推荐使用环境  



                     参    数                说         明            最    小      最    大     单    位  



                      TOP       工作温度                                …40        +85         ℃  



                      VCC       VCC 模拟电源电压                          2。7         3。3        V  



                      VDD       VDD 数字电源电压                          2。7         3。3        V  



                   VCC_BATT      内置电压稳压器电源                          2。7         3。6        V  



                         表4。1。3    电特性    DC 规格(Top = 25°C ;VDD = 3。0 V )  



             参数                      说明                   最小             典型             最大            单位  



             VIL           输入低电压                        GND…0。1                       0。3…VDD          V  



             VIH           输入高电压                        0。7…VDD                         VDD            V  



             VOL           输出低电压                          GND                         0。2…VDD          V  



             VOH           输出高电压                        0。8…VDD                         VDD            V  



             IOH           输出高电流                                                         1。2          mA  



             IOL           输出低电流                                                         1。2          mA  



         IDD  (发射)         发射期间电流消耗                                       36             55           mA  



         IDD  (接收)         接收期间电流消耗                                       42             65           mA  



           休眠电流            在VCC 和VDD 断开连接时                                 7             90            uA  



                           从VCC_BATT 的电流  



                                              表4。1。4    无线电规格  



                               参        数               最        小    典    型 最    大  单    位  



                    频率工作范围                           VCO 工作范围  2400             2480      MHz  



                                                                      60 Ohm/              Ohm/pF  

                    射频输入阻抗RX 导通  

                                                                      1。3 pF                  



                                                                      300 Ohm/             Ohm/pF  

                    射频输入阻抗RX 关断  

                                                                      0。9 pF 



                                                                      600 Ohm/             Ohm/pF  

                    射频输出阻抗TX 导通和TX 关断  

                                                                      0。4 pF 



                   表4。1。5    接收机规格(在芯片输入射频;Top = 25°C; VCC = 3。0 V)  



                        参        数              说         明    最    小 典    型 最    大 单    位  



                 接收机灵敏度                    BER
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