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Loss
式中：RLoss 为损耗电阻；Rrad 为辐射电阻。
等效电路（见图 1。11。5）画出了在计算时必须考虑的部分，电感值范围与环的长度小于
波长条件有关，RLoss 取决于电感的损耗。
为获得最优性能，设计和布板时，天线环包围的面积尽可能大；愈靠近环的边沿，场密
度愈高，因此，整个电路所必须保证环的边沿留有足够的空间；设计的形状应该近似于正方
形。
图 1。11。6 天线形状的设计
设计天线必须与驱动输出相匹配，以便获得最大电流，因此，输出驱动要调整，最佳负
载阻抗约为 500Ohm，同时应考虑输出端的约 0。9pF 的输出电容，环形天线要与此值匹配。这个
结果用 Zload opt 描述：
Z load opt （433。92MHz） =185＋j268
Z load opt （315MHz） =260 ＋j330
外部电路必须工作在并联谐振状态，并调谐到发射频率上，最终的阻抗与要求相适应。
匹配电路如图 1。11。7 所示。
图 1。11。7 匹配电路
将Z ｜｜ （并联谐振阻抗）转换为Zload=Rload opt ，电容 Cmatch1 和 Cmatch2 ，按下面公式实现这
个转换：
Z ｜｜ =Q ×2πf ×LLoop
Z =r 2 ×Z
｜｜ out
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·79 ·
1 C ×C
C = = match1 match2
｜｜ 2
ω0 ×LLoop Cmatch1 ＋Cmatch2
C ＋C
match1 match2
r = → = ×
C r C
match1 ｜｜
C
match2
式中：r 为比例系数。
2
实例：天线环长度=5cm ；天线面积= 4。5cm ；Lloop=40nH ；Q= 40 （估算值）；Rloss=2。7Ohm；
Rrad=0。026Ohm；η = Rrad/Rloss=1％ ；Z ｜｜ = 4。4 kOhm。Cmatch1 = 6。8/8。2/10/12/15 pF （2％） ；Cmatch2 = 2 到
6pF 微调电容。
印制板设计布局时还应考虑隔离，以便使电源上的波纹最小，还要注意如下事项：电池
输入端口要跨接电容（100pF 陶瓷电容），以避免电压干扰及纹波；电源芯片输入端要跨接电
容（10nF 陶瓷电容），以抑制波纹，一定要使每一种电压（VCC 、LFVCC 、PVCC ），分别单
独连接到电源输入端口，然后也用电容旁路到各自的地（GND、LFGND 、PGND ）；应在印
制板背面布一地平面，用过孔与之相连，以达到旁路目的。
在混合信号电路中，必须将数字电路和模拟电路分开，微控制器要与发射电路的 RF 部
分分开设计；环路滤波器的接地部分要靠近 LFGND 。
印制电感L1 是作为馈电电感用，印制电感的电感量用下式计算：
L ≈49。2 ×N 2 ×rav ＇nH＇
式中：N 为圈数；rav 为直径（平均），以 cm 为单位（使用面积约为 5mm ）。
…6
ASK ：发射频率由晶体Q1 和电容 C3 共同决定，晶体的允许偏差为 100×10 。
ASK 发射时序如图 1。11。8 所示，发射芯片是由 V =Vs 激活的，V 保持 0V，然后芯
EN ASK
片开始工作，XTO 和 PLL 工作。5ms 后，输出功率即可受 ASK 引脚端的调制。在发送信息
期间，V 保持= Vs 。要停止发射，置 V =0V ，然后，使 V =0V ，发射机停止工作。
EN ASK EN
图 1。11。8 ASK 发射时序图
1。12 310MHz～330MHz ASK/FSK 发射器芯片T5753
的原理与应用电路设计
1。12。1 概述
T5753 是 ATMEL 公司推出的采用 PLL （锁相环）结构的单片UHF ASK/FSK 发射器，
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·80 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
是专门为满足低成本数据通讯的要求而开发的。其数据传输速率可达 32 kBaud，发射的频率
范围从 310MHz～330MHz，ASK/FSK 调制。当工作电流 9mA 时输出功率 8dBm，单端天线
输出，CLK 输出端能给微控制器提供时钟，电源电压 2。0V～4。0V ，采用 TSSOP8L 封装。配
套接收器芯片有 U3741B/U3745B/T5743/T5744 。
1。12。2 主要性能指标
T5753 主要性能指标如表 1。12。1 所示。
表1。12。1 T5753 主要性能指标
数 值
参 数 符 号 单 位
最 小 典 型 最 大
频率范围 f 310 330 MHz
输出功率 P 6 8 10。5 dBm
FSK 数据速率 RFSK 32 kBaud
FSK 频率调制率 0 32 kHz
ASK 频率调制率 0 32 kHz
电源电压 V 2。0 4 V
CC
输出时钟频率 f 0/128 MHz
VCO 频率范围 310 330 MHz
PLL 回路带宽 250 kHz
高电平 1。7 V
控制信号
低电平 0。25 V
待机模式 Is…off 350 nA
电流消耗
发射模式 I 3。7 8。5 11。6 mA
s
工作温度 TA …40 85 ℃
1。12。3 芯片封装与引脚功能
T5753 采用 TSSOP8L 封装，封装形式如图 1。12。1 所示。各引脚功能如下。
图 1。12。1 T5753 的封装形式
引脚 1：CLK ； 时钟信号输出，为微控制器提供时钟信号，输出频率为f XTAL/4 。
引脚 2 ：PA_ENABLE ，功率放大器导通开关（功率放大器使能控制），用于ASK 调制。
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·81 ·
引脚 3 ：ANT2 ，天线输出级的发射极。
引脚 4 ：ANT1 ，天线输出级的集