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对 RFIO （RF 输出）进行满意的匹配。对于某些阻抗来说天线则可能需要 2 至 3 个元件进行
匹配，例如需要两个电感和一个电容。
发射电路中使用 SAW 耦合谐振器。
发射芯片操作支持两种调制模式，即 OOK 和 ASK 模式。OOK 模式时，“1”脉冲之间
的信号将不被传输。ASK 模式时，“1”脉冲代表发射的电平能量较高，“0 ”脉冲则代表发射
的电平能量较低。OOK 调制与第一代 ASH （amplifier…sequenced hybrid 时序放大器）技术
兼容，同时能量损耗也很低。ASK 调制则必须用于高数据速率模式（数据脉冲宽度应小于
200 us ），它减小了其他形式干扰的影响而且允许发射尖脉冲来控制调制带宽。
模式的选择由 CNTRL0 和 CNTRL1 模式控制端完成。在 OOK 模式时，如果 TXMOD 输
入电压小于 220 mV ，谐振放大器 TXA1 和缓冲放大器 TXA2 就会停止工作，数据速率被谐
振器的 40 us 开关次数限制（谐振器周期的理想值为 12 us 和 6 us ）。在ASK 模式，TXA1 被
连续偏置为接通状态，
TXA2 的输出由TXMOD 输入电流调制。当调制驱动电路得到 TXMOD
的输出电流小于 10 uA 时，ASK 模式有最小输出功率。
发射芯片 RF 放大器的输出功率是与 TXMOD 的输入电流成比例的，其中用一个串联电
阻调节芯片输入功率的峰值，产生最大饱和输出功率需要450 uA 的输入电流。
芯片模式控制，芯片有三种模式——ASK 发射、OOK 发射和低功耗，它们由调制和偏
置控制电路的 CNTRL1 和 CNTRL0 端控制。CNTRL1 为高电平，CNTRL0 为低电平时为 ASK
发射模式；CNTRL1 为低电平，CNTRL0 为高电平时为 OOK 发射模式；二者均为低电平时
为低功耗（休眠）模式。CNTRL1 和 CNTRL0 输入与 CMOS 兼容，输入端必须维持在一个
逻辑电平，不能悬空。另外，这些端口电压应随电源电压的接通而上升。
1。7。5 应用电路设计
TX6001 的应用电路如图 1。7。3、图 1。7。4 所示。所设计的 OOK 和 ASK 的应用电路的元
器件参数值如表 1。7。2 所示。
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·47 ·
图 1。7。3 TX6001 OOK 调制发射电路
图 1。7。4 TX6001 ASK 调制发射电路
表1。7。2 TX6001 应用电路元器件参数
符 号 OOK OOK ASK 单 位 注 释
DRNOM 2。4 19。2 115。2 kb/s
SPMIN 416。67 52。08 8。68 us 单个比特
SPMAX 1666。68 208。32 34。72 us 相同数值的 4 比特
RTXM 8。2 8。2 8。2 kOhm ±10％ ，0。25 mW 输出
CDCB 10 10 10 uF 钽电容
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·48 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
符 号 OOK OOK ASK 单 位 注 释
CRFB1 27 27 27 pF ±5％NPO
CRFB2 100 100 100 pF ±5％NPO
LAT 10 10 10 nH 50Ohm天线
LESD 100 100 100 nH 50Ohm天线
1。8 433/868/915 MHz FM/FSK 发射器芯片RF2512 的
原理与应用电路设计
1。8。1 概述
RF2512 是一个单片带有锁相环的 FM/FSK UHF 发射器芯片，频率范围这 300 MHz～
1 000 MHz，采用 FM/FSK 调制，芯片内含有集成压控振荡器、鉴相器、双模/双分频 （128/129
或 64/65 ）分频器、基准晶体振荡器和锁相环回路，两个基准振荡器能够支持两个通道应用。
RF2512 的电源电压为2。4V～5。0V，具有低功耗模式，能够对 50 Ohm的负载提供 15 mW 的输出
功率。芯片能够应用于美国 915 MHz ISM 频段和欧洲 433 MHz 、868 MHz ISM 频段，进行
无线数据 FSK 发射，适于窄带和宽带 FM 。
1。8。2 主要技术指标
RF2512 的主要性能指标如表 1。8。1 所示。
表1。8。1 RF2512 的主要性能指标
规 格 条 件
参 数 单 位
最小值 典型值 最大值
频率范围 300 1000 MHz
调制 FM/FSK
调制频率 2 MHz
最大 FM 偏移 200 kHz
输出功率 ＋7 ＋12 dBm 50Ohm负载
预定标器分频比 128/64
VCO 增益 25 70 MHz/Hz
PLL 相位噪声 …80 dBc/Hz 10 kHz 补偿；5 kHz 锁相环带宽
谐波 …23 dBc 输出调谐
基准频率 17 MHz 50 kHz 锁相环带宽
晶振最大阻抗 50 100 Ohm
充电泵电流 …40 ＋40 uA
开启时间 2 4 ms 晶振起振，7。15MHz 晶振
电源电压 2。4 3。6 5。5 V
电流消耗 8 10 28 mA
低功耗模式电流 1 uA 睡眠模式
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·49 ·
1。8。3 芯片封装与引脚功能
RF2512 采用 SSOP…24 封装，各引脚如图 1。8。1 所示。
图 1。8。1 RF2512 的引脚封装形式
各个引脚功能分别介绍如下。
引脚 1：OSC B2，直接连接在基准振荡器晶体管的基极，基准振荡器的结构是 Colpitts
的改进型，一个电容器被连接在引脚 1 与引脚 2 间。
引脚 2 ：OSC E，直接连接在基准振荡器晶体管的发射级，在这个引脚与地之间需连接
一个电容器。
引脚 3 ：OSC B1，直接连接在基准振荡器晶体管的基极，基准振荡器的结构是 Colpitts
的改进型，一个电容器被连接在引脚 3 与引脚 2 间。
引脚 4 ：PLL ENABL ，这个引脚端用来控制VCO 和 PLL 电源加上和拉下。逻辑高电平
（
PLL ENABL》1。0V ）电源加上VCO 和 PLL 电路；逻辑低电平（PLL ENABL