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Step 70： 点击 图标添加 “*pmos_18”单元，填写信息如下。
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Step 71： 移动光标回到版图编辑区点击点 （0 ， 9。5） 放置“*pmos_18”单元。
Step 72： 同前面画PMOS 版图一样，调出 NMOS 版图，注意 NMOS 是直接画在衬底上，
与 PMOS 画在 N 阱里不同，而且NMOS 源漏区是 N 型掺杂。
Step 73： 在点 （1。3 ， 4。3） 绘制的 NMOS 如下图。
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Step 74： 选择 “Poly。dwg” 层，创建宽为 0。35um 的path 从点 （2。6 ， 10。5） 到（2。6， 5。8） 。
注：此步骤为用多金硅连接 PMOS 和 NMOS 的栅极
Step 75： 选择“met1。dwg” 层，创建宽为 0。35um 的path 从点 （3。45 ， 10。8） 到（3。45， 5。5） 。
注：此步骤为用金属连接 PMOS 的漏区和NMOS 的漏区
Step 76： 按照前面的方法从库 library “PLL” 中创建单元“mpoly” ，规定金属和多金硅的连
接，并且调出单元放置在点（1。7， 7。65） 。
注：此步骤为创建信号输入点，信号通过金属 1 线连到栅极
Step 77： 按照前面的方法从库 library “INV” 中创建单元“m1m2” ，规定金属 1 和金属 2 的
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连接，并且调出单元放置在点（1。7， 6。75） 和 （3。0 ， 7。65） 。
注：信号从金属 2 输入，通过反相器反相后，再从金属 2 输出。
Step 78： 点击菜单 Create…》Label （或点击 图标）。 将弹出下面的对话框。
Step 79： 填写对话框如下。
Step 80： 移动光标到版图编辑区，标号 “IN” 随光标出现。
Step 81： 点击点在 “mploy”单元上确认标号 “＋” 在 “mploy” 单元区。
Step 82： 同样，在“m1m2”单元添加 “OUT” 标识。
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Step 83： 选择“met1。dwg”层，创建宽度为 4 的path 从点 （0 ，15。2） 到 （5。2 ，15。2）。
注：此为电源 VDD 的连线
Step 84： 再次选择 “met1。dwg” 创建矩形从左点 （1。3 ， 12。6） 到右顶点（2。2，13。2）。 图形显
示如下。 （注：此为将PMOS 的源区通过金属和电源VDD 相连）
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Step 85： 选择 “nwell。dwg” 层创建矩形从 （0 ，13。9） 点 （5。2 ，17。2）。
注：因为 PMOS 做在 N 阱中，N 阱需要接最高电位。
Step 86： 从库 INV 中调出定义金属和N 型掺杂的单元 “mndiff” ，1 行 2 列。
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Step 87： 点击对话框 Hide 并且放置在点 （1。7 ， 14。75） 。
注：上面步骤将电源 VDD 和 N 阱通过单元“mndiff”相连。
Step 88： 选择 “met1。dwg”层创建图标“vdd！” ，字体高 1。0 并且放在 “met1。dwg” 区域如下。
Step 89： 移动光标到“met1。dwg” 区域并且按下键盘 “space” 键，当前的有效层自动改变到
“met1。dwg” 层。
Step 90： 用 “met1。dwg”层， 创建宽为 4 的 path 从点 （0 ，2） 到 （5。2 ，2）。
注：此步骤创建地线 GND
Step 91： 再用 “met1。dwg”层， 创建一个矩形从点 （1。3 ，4） 到点 （2。2 ，4。6）。
注：此步骤将 NMOS 管的源极和地线 GND 通过金属相连
Step 92： 从库 INV1 中添加单元序列“mpdiff” ，1 行 2 列，放在（1。7，1。55）。
注：此步骤将地线 GND 通过“mpdiff”单元和衬底相连，即衬底接最低电位。
Step 93： 选择“met1。dwg” 层创建标识 “gnd！” ，放在 “met1。dwg” 区，字体高 1。0 。
Step 94： 到此为止， 整个反相器单元 “inv” 的版图创建如下。
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Step 95： 最后， 点击 图标清除尺子。
在这个实验，我们学会怎样去创建路径 path 、矩形rectangle 和单元，最后我们设计出
了一个反相器的版图。
注：ctrl＋F 命令为显示全部层。
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第 18 章 反相器版图验证与参数提取
18。1 Layout DRC 版图设计规则检查
Design Rule Checks （DRC） 用来对版图进行几何设计规则检查。Zeni 4 版图编辑器提供
了与版图验证工具的无缝接口，用户可以在进行版图设计的同时对版图进行验证，并且以
图形的形式将验证结果返标在版图上。通过这种交互式的方式，用户可以非常方便快捷的
定位版图设计中的错误，从而达到随时根据验证结果对版图进行修改，迅速消除版图设计
中的错误。
在这部分…。
我们将故意在版图中设置一些不满足规则的地方，然后运行 Zeni DRC 设计规则检查
工具去查找、显示和管理版图中出现的错误。
18。1。1 运行九天设计环境
Step 1： cd WORK…DIR
Step 2： dm &
ZDMW 设计环境将出现。
18。1。2 打开设计
我们将使用您刚才创建的反相器的版图。
Step 3： 在 ZDMW 设计环境中，从左到右，依次鼠标左击：
INV1
inv
layout （双击打开版图单元）
反相器的版图单元打开如下：
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18。1。3 从用户界面运行 DRC 设计规则检查
Step 4： 左击菜单 Options…》Generic 命令，修改 Verify…》Working Path 为 “/tmp” 或用
“Browse” 去设置为您所要的路径。 如下图。
Step 5： 保存并确认 Options form 页面。
Step 6： 鼠标左击Verify…》Layout Verification ，版图验证对话框将出现。
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Step 7： 在“Tool”栏中选择“Zeni Veri”并按下。
Step 8： 用 “Zeni…install…path/demo/tutorial/INV_demo/inv。drc”填充命令区域
Zeni…install…path 是九天 Zeni 的安装路径。
Step 9： 还可通过“Browse”按钮在文件选择对话框中选中命令文件，还能点击“Edit” 按钮
去修改指定的命令文件。